研究方向：1 氮化物半導體材料的生長技術；

2 GaN基深紫外LED材料與器件；

3 新型GaN基異質結材料技術。

研究成果：（1）GaN基紫光LED方面：提出了采用原位AlN基板的GaN外延生長方法，生長出了高質量的GaN外延材料，外延材料的高分辨率X射線衍射搖擺曲線半高寬在（002）和（102）面分別低至70弧秒和354弧秒，結果處于國際領先水平；針對氮化物p型摻雜難的問題，提出并采用p型的超晶格摻雜方法實現了p型的高質量摻雜，其p型材料電阻率僅為0.034Ω?cm；制備出高亮度的GaN基紫光LED，紫光LED技術已轉移至相關企業進行產業化實施。

（2）AlGaN基深紫外LED方面：針對藍寶石襯底上高質量AlN外延材料難于制備的技術問題，在自主設計制造的MOCVD設備上提出并采用了連續MO源、脈沖氨氣的脈沖式生長方法，生長出了高結晶質量的AlN外延材料，外延材料的高分辨率X射線衍射搖擺曲線半高寬在（002）和（102）面分別低至36弧秒和232弧秒，材料指標國際領先；提出一種生長不同Al組分AlGaN材料的方法，生長出Al組分從0到1的高質量AlGaN材料；通過工藝的改進及優化，實現了p型AlGaN材料的高質量摻雜；制備出發光波長在300nm量子阱結構，成功制備出深紫外LED管芯。

(3)非極性GaN材料方面：針對非極性GaN材料質量一直難以提高的問題，創新性地提出用脈沖生長方法制備的AlN基板結合多個超晶格結構的方法使得非極性GaN材料的生長質量得以大幅提高，材料的半高寬由原來的1300弧秒降低至417弧秒，材料質量處于國際領先。

(4)AlInN/GaN異質結材料方面：提出并采用Al、In源分時段通入反應室的脈沖式MOCVD生長方法生長AlInN，解決了In在生長時存在摻入量與材料質量之間的矛盾；在藍寶石襯底上制備出高質AlInN/GaN異質結，其遷移率1400 cm2/vs,二維電子氣密度達1.96E+13/cm2，指標處于國際領先水平。