研究方向：圍繞低晶格對稱二維材料二硫化錸的可控制備和光電性質開展了系統研究。首先針對該材料制備困難的問題，先后發展出碲輔助和空間限域外延生長方法實現了大面積單層二硫化錸的制備；隨后研究了二硫化錸由錸鏈翻轉產生的晶界問題，提出了“納米自組裝生長”模式，揭示了此類低對稱二維材料的生長機制；在此基礎上，探究了不同晶面指數金表面二硫化錸的生長行為，實現了單晶二硫化錸的取向控制生長。

研究成果：1.? ? ? 基于增大石墨烯光電導增益的想法，構筑了高響應、柵壓可調的石墨烯-二硫化鉬雜化光電探測器。 通過將強光吸收的二硫化鉬和高載流子遷移率的石墨烯結合，兩種材料優劣互補，實現了“1 + 1 > 2”效應。

2. 針對低對稱材料二硫化錸的制備中存在的錸前驅體揮發溫度過高的問題，發展出二元低共熔體輔助外延生長方法，有效降低了錸的熔點，實現了大面積單層二硫化錸的高效制備。

3. 針對二硫化錸前驅體揮發不可控導致的亞穩態生長問題，發展出空間限域外延生長法，將二硫化錸的生長限制在基底的近表面層，實現了二硫化錸的穩態生長。

4. 采用偏振光學成像和偏振拉曼成像技術，首次發現了CVD生長所得二硫化錸中的子晶疇和晶界現象，結合高分辨電鏡和理論計算揭示了二硫化錸獨特的“納米自組裝生長”機制。

5.系統研究了不同晶面指數金表面二硫化錸的生長行為，在（110）金晶面實現了單晶二硫化錸的取向控制生長，理論計算顯示Au-ReS2強的界面耦合和金基底對稱性的降低是實現取向控制生長的關鍵，該工作為取向控制生長其它低晶格對稱二維材料提供了重要參考。